IXTA6N100

IXTA6N100, IXTA6N100D2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTA6N100D2
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<300 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.65 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2.2 ОмId, Vgs = 3A, 0V
Заряд затвора
QG
95 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Depletion Mode