На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXTA1R4N100P | IXTA1R4N120P | IXTA1R6N100D2 | IXTA1R6N50D2 | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (3 leads + tab) |
Производитель | Производитель | IXYS | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <63 Вт | <86 Вт | <100 Вт | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 450 пФVds = 25V | 666 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V | 645 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <500 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <1.4 А | <1.4 А | <1.6 А | <1.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <11 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <13 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <10 ОмId, Vgs = 800mA, 0V | <2.3 ОмId, Vgs = 800mA, 0V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ | Polar™ | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 17.8 нCVgs = 10V | 24.8 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 5V | 23.7 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Depletion Mode | Depletion Mode |