IXTA110N055P

IXTA110N055, IXTA110N055P, IXTA110N055T, IXTA110N055T2, IXTA110N055T7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTA110N055PIXTA110N055TIXTA110N055T2IXTA110N055T7
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (6 leads + tab)
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<390 Вт<230 Вт<180 Вт<230 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.21 нФVds = 25V3.08 нФVds = 25V3.06 нФVds = 25V3.08 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<55 В
Постоянный ток стока
IDSS
<110 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<13.5 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<7 мОмId, Vgs = 25A, 10V<6.6 мОмId, Vgs = 25A, 10V<7 мОмId, Vgs = 25A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarHT™TrenchMV™TrenchT2™TrenchMV™
Заряд затвора
QG
76 нCVgs = 10V67 нCVgs = 10V57 нCVgs = 10V67 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard