IXTA08N120

IXTA08N120, IXTA08N120P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXTA08N120P
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<50 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
333 пФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<800 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<25 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™
Заряд затвора
QG
14 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard