IXKP10N60

IXKP10N60, IXKP10N60C5, IXKP10N60C5M

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXKP10N60C5IXKP10N60C5M
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220ABTO-220FP
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Входная емкость полевого транзистора
C11
790 пФVds = 100V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<600 В
Постоянный ток стока
IDSS
<10 А<5.4 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<385 мОмId, Vgs = 5.2A, 10V
Серия MOSFET
Серия
CoolMOS™
Заряд затвора
QG
22 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard