IXFV96N15P

IXFV96N15, IXFV96N15P, IXFV96N15PS

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFV96N15PIXFV96N15PS
Корпус микросхемы
Корпус
PLUS-220PLUS-220SMD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностный
Мощность
P
<480 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.5 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<150 В
Постоянный ток стока
IDSS
<96 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<24 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarHT™
Заряд затвора
QG
110 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard