На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFV18N60P | IXFV18N60PS | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | PLUS-220 | PLUS-220SMD |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <360 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.5 нФVds = 25V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <18 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <400 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | |
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Standard | |