На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFT30N50P | IXFT30N50Q | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-268 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <460 Вт | <360 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.15 нФVds = 25V | 4.925 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <160 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 70 нCVgs = 10V | 190 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |