IXFR44N50

IXFR44N50, IXFR44N50P, IXFR44N50Q

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFR44N50PIXFR44N50Q
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS247™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<208 Вт<310 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.44 нФVds = 25V7 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<500 В
Постоянный ток стока
IDSS
<24 А<34 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<150 мОмId, Vgs = 22A, 10V<120 мОмId, Vgs = 22A, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarHV™HiPerFET™
Заряд затвора
QG
98 нCVgs = 10V190 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard