IXFR26N100

IXFR26N100, IXFR26N100P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFR26N100P
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS247™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<290 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
11.9 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<430 мОмId, Vgs = 13A, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™
Заряд затвора
QG
197 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard