IXFR20N100P

IXFR20N100, IXFR20N100P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFR20N100P
Корпус микросхемы
Корпус
ISOPLUS247™
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<230 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
7.3 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<11 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<640 мОмId, Vgs = 10A, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™
Заряд затвора
QG
126 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard