На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFN80N50P | IXFN80N50Q2 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227B miniBLOC | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Мощность | P | <700 Вт | <890 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 12.7 нФVds = 25V | 12.8 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <500 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <66 А | <80 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <60 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 195 нCVgs = 10V | 250 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |