IXFN38N100P

IXFN38N100, IXFN38N100P, IXFN38N100Q2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFN38N100PIXFN38N100Q2
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<1 кВт<890 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
24 нФVds = 25V7.2 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<38 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<210 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™HiPerFET™
Заряд затвора
QG
350 нCVgs = 10V250 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard