IXFN32N100

IXFN32N100, IXFN32N100P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFN32N100P
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Мощность
P
<690 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
14.2 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<27 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<320 мОмId, Vgs = 16A, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™
Заряд затвора
QG
225 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard