На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFN100N10S1 | IXFN100N10S2 | IXFN100N10S3 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-227B miniBLOC | ||
Производитель | Производитель | IXYS | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | ||
Мощность | P | <360 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.5 нФVds = 25V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <100 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <15 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HiPerFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 180 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||