На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFL38N100P | IXFL38N100Q2 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | ISOPLUSi5-Pak™ | ISOPLUS264™ |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <520 Вт | <380 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 24 нФVds = 25V | 13.5 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <29 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <230 мОмId, Vgs = 19A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 19A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 350 нCVgs = 10V | 250 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |