На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFK180N25T | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-264 |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <1.39 кВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 28 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <250 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <180 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <12.9 мОмId, Vgs = 60A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | GigaMOS™ |
Заряд затвора | QG | 345 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |