На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFK170N20P | IXFK170N20T | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-264 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <1.25 кВт | <1.15 кВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 11.4 нФVds = 25V | 19.6 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <170 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <14 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <11 мОмId, Vgs = 60A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ | GigaMOS™ |
Заряд затвора | QG | 185 нCVgs = 10V | 265 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |