IXFH6N120

IXFH6N120

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFH6N120
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<300 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.95 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<6 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<2.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Заряд затвора
QG
56 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard