IXFH40N30

IXFH40N30, IXFH40N30Q

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFH40N30Q
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<300 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
3.1 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<300 В
Постоянный ток стока
IDSS
<40 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<80 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
HiPerFET™
Заряд затвора
QG
140 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard