На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFH36N55Q | IXFH36N55Q2 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247AD | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <500 Вт | <560 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.5 нФVds = 25V | 4.1 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <550 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <36 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <160 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <180 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HiPerFET™ | |
Заряд затвора | QG | 128 нCVgs = 10V | 110 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |