На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFH26N60P | IXFH26N60Q | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247 | TO-247AD |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <460 Вт | <360 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.15 нФVds = 25V | 5.1 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <600 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <26 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <270 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | PolarHV™ | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 72 нCVgs = 10V | 200 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |