IXFH15N100

IXFH15N100, IXFH15N100P, IXFH15N100Q

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFH15N100PIXFH15N100Q
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD, TO-247TO-247AD, TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<543 Вт<360 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
5.14 нФVds = 25V4.5 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<15 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<760 мОмId, Vgs = 500mA, 10V<700 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™HiPerFET™
Заряд затвора
QG
97 нCVgs = 10V170 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard