IXFH14N100Q2

IXFH14N100, IXFH14N100Q2

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFH14N100Q2
Корпус микросхемы
Корпус
TO-247AD
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<500 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
2.7 нФVds = 25V
Постоянный ток стока
IDSS
<14 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<900 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
HiPerFET™
Заряд затвора
QG
83 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard