На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFH12N100F | IXFH12N100P | IXFH12N100Q | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247AD |
Производитель | Производитель | IXYS | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <300 Вт | <463 Вт | <300 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.7 нФVds = 25V | 4.08 нФVds = 25V | 2.9 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <12 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <1.05 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | ||
Серия MOSFET | Серия | HiPerRF™ | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 77 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 90 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||