IXFB52N90

IXFB52N90, IXFB52N90P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFB52N90P
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<1.25 кВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
19 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<900 В
Постоянный ток стока
IDSS
<52 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<160 мОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
Polar™
Заряд затвора
QG
308 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard