На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFB30N120P | IXFB30N120Q2 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 3-PLUS264™ | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |
Мощность | P | <1.25 кВт | (не задано) |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 22.5 нФVds = 25V | (не задано) |
Постоянный ток стока | IDSS | <30 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <350 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | (не задано) |
Серия MOSFET | Серия | PolarVHV™ | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 310 нCVgs = 10V | (не задано) |
FET Feature | FET Feature | Standard | |