На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFB170N30P | |
|---|---|---|
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия |
Мощность | P | <1.25 кВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 20 нФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <300 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <170 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <18 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ |
Заряд затвора | QG | 258 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |