IXFA7N80P

IXFA7N80, IXFA7N80P

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIXFA7N80P
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<200 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
1.89 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<800 В
Постоянный ток стока
IDSS
<7 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.44 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Серия MOSFET
Серия
PolarHV™
Заряд затвора
QG
32 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard