На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFA4N100P | IXFA4N100Q | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <150 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.456 нФVds = 25V | 1.05 нФVds = 25V |
Постоянный ток стока | IDSS | <4 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 26 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |