На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IXFA3N80 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Мощность | P | <100 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 685 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <800 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <3.6 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HiPerFET™ |
Заряд затвора | QG | 24 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |