На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | ISL9N302AP3 | ISL9N302AS3 | ISL9N302AS3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный |
Мощность | P | <345 Вт | ||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 11 нФVds = 15V | ||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||
Постоянный ток стока | IDSS | <75 А | ||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <2.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <2.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <2.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | UltraFET™ | ||
Заряд затвора | QG | 300 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||