IRLZ34

IRLZ34, IRLZ34L, IRLZ34N, IRLZ34NL, IRLZ34NLPBF, IRLZ34NPBF, IRLZ34NS, IRLZ34NSPBF, IRLZ34NSTRL, IRLZ34NSTRLPBF, IRLZ34NSTRR, IRLZ34PBF, IRLZ34S, IRLZ34STRL, IRLZ34STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IRLZ34L	IRLZ34N	IRLZ34NL	IRLZ34NLPBF	IRLZ34NPBF	IRLZ34NS	IRLZ34NSPBF	IRLZ34NSTRL	IRLZ34NSTRLPBF	IRLZ34NSTRR	IRLZ34PBF	IRLZ34S	IRLZ34STRL	IRLZ34STRR
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель	Производитель	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный
Мощность	P	<3.7 Вт	<68 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<68 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<3.8 Вт	<88 Вт	<3.7 Вт	<3.7 Вт	<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	1.6 нФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	880 пФVds = 25V	1.6 нФVds = 25V	1.6 нФVds = 25V	1.6 нФVds = 25V	1.6 нФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<60 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<30 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<50 мОмId, Vgs = 18A, 5V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<35 мОмId, Vgs = 16A, 10V	<50 мОмId, Vgs = 18A, 5V	<50 мОмId, Vgs = 18A, 5V	<50 мОмId, Vgs = 18A, 5V	<50 мОмId, Vgs = 18A, 5V
Серия MOSFET	Серия	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвора	Q_G	35 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	25 нCVgs = 5V	35 нCVgs = 5V	35 нCVgs = 5V	35 нCVgs = 5V	35 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate