IRLZ24

IRLZ24, IRLZ24L, IRLZ24LPBF, IRLZ24N, IRLZ24NL, IRLZ24NLPBF, IRLZ24NPBF, IRLZ24NS, IRLZ24NSPBF, IRLZ24NSTRL, IRLZ24NSTRLPBF, IRLZ24NSTRR, IRLZ24PBF, IRLZ24S, IRLZ24STRL, IRLZ24STRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRLZ24LIRLZ24LPBFIRLZ24NIRLZ24NLIRLZ24NLPBFIRLZ24NPBFIRLZ24NSIRLZ24NSPBFIRLZ24NSTRLIRLZ24NSTRLPBFIRLZ24NSTRRIRLZ24PBFIRLZ24SIRLZ24STRLIRLZ24STRR
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
Vishay/SiliconixVishay/SiliconixInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierInternational RectifierVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/SiliconixVishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Мощность
P
<3.7 Вт<3.7 Вт<45 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<45 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<3.8 Вт<60 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт<3.7 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
870 пФVds = 25V870 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V480 пФVds = 25V870 пФVds = 25V870 пФVds = 25V870 пФVds = 25V870 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В<60 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<55 В<60 В<60 В<60 В<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<17 А<17 А<18 А<18 А<18 А<18 А<18 А<18 А<18 А<18 А<18 А<17 А<17 А<17 А<17 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<100 мОмId, Vgs = 10A, 5V<100 мОмId, Vgs = 10A, 5V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<60 мОмId, Vgs = 11A, 10V<100 мОмId, Vgs = 10A, 5V<100 мОмId, Vgs = 10A, 5V<100 мОмId, Vgs = 10A, 5V<100 мОмId, Vgs = 10A, 5V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®HEXFET®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
18 нCVgs = 5V18 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V15 нCVgs = 5V18 нCVgs = 5V18 нCVgs = 5V18 нCVgs = 5V18 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate