IRLU3714PBF

IRLU3714, IRLU3714PBF, IRLU3714TR, IRLU3714Z, IRLU3714ZPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRLU3714PBFIRLU3714TRIRLU3714ZIRLU3714ZPBF
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
International RectifierVishay/SiliconixInternational RectifierInternational Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<47 Вт<47 Вт<35 Вт<35 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
670 пФVds = 10V670 пФVds = 10V560 пФVds = 10V560 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<20 В
Постоянный ток стока
IDSS
<36 А<36 А<37 А<37 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<20 мОмId, Vgs = 18A, 10V<20 мОмId, Vgs = 18A, 10V<15 мОмId, Vgs = 15A, 10V<15 мОмId, Vgs = 15A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
9.7 нCVgs = 4.5V9.7 нCVgs = 4.5V7.1 нCVgs = 4.5V7.1 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate