На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLU024N | IRLU024NPBF | IRLU024PBF | IRLU024Z | IRLU024ZPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Мощность | P | <45 Вт | <45 Вт | <2.5 Вт | <35 Вт | <35 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 480 пФVds = 25V | 480 пФVds = 25V | 870 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В | <55 В | <55 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <17 А | <17 А | <14 А | <16 А | <16 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V | <58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V | <58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 15 нCVgs = 5V | 15 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V | 9.9 нCVgs = 5V | 9.9 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||