На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLU014N | IRLU014NPBF | IRLU014PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||
Мощность | P | <28 Вт | <28 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | <10 А | <7.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвора | QG | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||