IRLS4030

IRLS4030, IRLS4030-7PPBF, IRLS4030PBF, IRLS4030TRL7PP, IRLS4030TRLPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRLS4030-7PPBFIRLS4030PBFIRLS4030TRL7PPIRLS4030TRLPBF
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (6 leads + tab, variant)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<370 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
11.49 нФVds = 50V11.36 нФVds = 50V11.49 нФVds = 50V11.36 нФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<180 А<180 А<190 А<180 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<3.9 мОмId, Vgs = 110A, 10V<4.3 мОмId, Vgs = 110A, 10V<3.9 мОмId, Vgs = 110A, 10V<4.3 мОмId, Vgs = 110A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
130 нCVgs = 4.5V130 нCVgs = 4.5V140 нCVgs = 4.5V130 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate