IRLS3036-7PPBF

IRLS3036, IRLS3036-7PPBF, IRLS3036PBF, IRLS3036TRL7PP, IRLS3036TRLPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрIRLS3036-7PPBFIRLS3036PBFIRLS3036TRL7PPIRLS3036TRLPBF
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (7 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<380 Вт
Входная емкость полевого транзистора
C11
11.27 нФVds = 50V11.21 нФVds = 50V11.27 нФVds = 50V11.21 нФVds = 50V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<60 В
Постоянный ток стока
IDSS
<240 А<195 А<240 А<195 А
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<1.9 мОмId, Vgs = 180A, 10V<2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V<1.9 мОмId, Vgs = 180A, 10V<2.4 мОмId, Vgs = 165A, 10V
Серия MOSFET
Серия
HEXFET®
Заряд затвора
QG
160 нCVgs = 4.5V140 нCVgs = 4.5V160 нCVgs = 4.5V140 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate