На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR8503PBF | IRLR8503TR | IRLR8503TRL | IRLR8503TRLPBF | IRLR8503TRPBF | IRLR8503TRR | IRLR8503TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||
Мощность | P | <62 Вт | ||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.65 нФVds = 25V | ||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <44 А | ||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <16 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||
Заряд затвора | QG | 20 нCVgs = 5V | ||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||