На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR8113PBF | IRLR8113TR | IRLR8113TRLPBF | IRLR8113TRPBF | IRLR8113TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <89 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.92 нФVds = 15V | ||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||
Постоянный ток стока | IDSS | <94 А | ||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <6 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||
Заряд затвора | QG | 32 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||