На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR7833CPBF | IRLR7833CTRLPBF | IRLR7833CTRRPBF | IRLR7833PBF | IRLR7833TR | IRLR7833TRL | IRLR7833TRLPBF | IRLR7833TRPBF | IRLR7833TRR | IRLR7833TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||||
Мощность | P | <140 Вт | |||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 4.01 нФVds = 15V | |||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <140 А | |||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||||
Заряд затвора | QG | 50 нCVgs = 4.5V | |||||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||||