На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR7807Z | IRLR7807ZCPBF | IRLR7807ZCTRPBF | IRLR7807ZCTRRP | IRLR7807ZPBF | IRLR7807ZTR | IRLR7807ZTRLPBF | IRLR7807ZTRPBF | IRLR7807ZTRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | ||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||
Мощность | P | <40 Вт | ||||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 780 пФVds = 15V | ||||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | ||||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <43 А | ||||||||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <13.8 мОмId, Vgs = 15A, 10V | ||||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | ||||||||
Заряд затвора | QG | 11 нCVgs = 4.5V | ||||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||||