На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR3636PBF | IRLR3636TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | International Rectifier | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <143 Вт | |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.779 нФVds = 50V | |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <60 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <50 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |
Заряд затвора | QG | 49 нCVgs = 4.5V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |