На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR3410CPBF | IRLR3410PBF | IRLR3410TR | IRLR3410TRL | IRLR3410TRLPBF | IRLR3410TRPBF | IRLR3410TRR | IRLR3410TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Мощность | P | <79 Вт | |||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 800 пФVds = 25V | |||||||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <15 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А | <17 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <105 мОмId, Vgs = 10A, 10V | |||||||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||||||
Заряд затвора | QG | 34 нCVgs = 5V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||