На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR3110ZPBF | IRLR3110ZTRLPBF | IRLR3110ZTRPBF | IRLR3110ZTRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Производитель | Производитель | International Rectifier | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||
Мощность | P | <140 Вт | |||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 3.98 нФVds = 25V | |||
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||
Постоянный ток стока | IDSS | <42 А | |||
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <14 мОмId, Vgs = 38A, 10V | |||
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | |||
Заряд затвора | QG | 48 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||