IRLR120ATF

IRLR120, IRLR120ATF, IRLR120N, IRLR120NPBF, IRLR120NTR, IRLR120NTRL, IRLR120NTRLPBF, IRLR120NTRPBF, IRLR120NTRR, IRLR120NTRRPBF, IRLR120PBF, IRLR120TR, IRLR120TRL, IRLR120TRLPBF, IRLR120TRPBF, IRLR120TRR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IRLR120ATF	IRLR120N	IRLR120NPBF	IRLR120NTR	IRLR120NTRL	IRLR120NTRLPBF	IRLR120NTRPBF	IRLR120NTRR	IRLR120NTRRPBF	IRLR120PBF	IRLR120TR	IRLR120TRL	IRLR120TRLPBF	IRLR120TRPBF	IRLR120TRR
Корпус микросхемы	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель	Производитель	Fairchild Semiconductor	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Мощность	P	<2.5 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<100 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<8.4 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<220 мОмId, Vgs = 4.2A, 5V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V
Серия MOSFET	Серия	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвора	Q_G	15 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate