На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR110ATF | IRLR110ATM | IRLR110PBF | IRLR110TR | IRLR110TRL | IRLR110TRLPBF | IRLR110TRPBF | IRLR110TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||||
Мощность | P | <2.5 Вт | |||||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 235 пФVds = 25V | 235 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <100 В | |||||||
Постоянный ток стока | IDSS | <4.7 А | <4.7 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <440 мОмId, Vgs = 2.35A, 5V | <440 мОмId, Vgs = 2.35A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V |
Заряд затвора | QG | 8 нCVgs = 5V | 8 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||