IRLR024

IRLR024, IRLR024N, IRLR024NPBF, IRLR024NTR, IRLR024NTRL, IRLR024NTRLPBF, IRLR024NTRPBF, IRLR024NTRR, IRLR024NTRRPBF, IRLR024PBF, IRLR024TR, IRLR024TRL, IRLR024TRPBF, IRLR024TRR, IRLR024Z, IRLR024ZPBF, IRLR024ZTRLPBF

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		IRLR024N	IRLR024NPBF	IRLR024NTR	IRLR024NTRL	IRLR024NTRLPBF	IRLR024NTRPBF	IRLR024NTRR	IRLR024NTRRPBF	IRLR024PBF	IRLR024TR	IRLR024TRL	IRLR024TRPBF	IRLR024TRR	IRLR024Z	IRLR024ZPBF	IRLR024ZTRLPBF
Корпус микросхемы	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель	Производитель	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Мощность	P	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<35 Вт	<35 Вт	<35 Вт
Входная емкость полевого транзистора	C₁₁	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	380 пФVds = 25V	380 пФVds = 25V	380 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком	U_DSS	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<55 В	<55 В	<55 В
Постоянный ток стока	I_DSS	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<14 А	<14 А	<14 А	<14 А	<14 А	<16 А	<16 А	<16 А
Тип канала полевого транзистора	Канал	N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии	R_DS-ON	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V	<58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V	<58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V
Серия MOSFET	Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Заряд затвора	Q_G	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	9.9 нCVgs = 5V	9.9 нCVgs = 5V	9.9 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate