На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRLR014N | IRLR014NPBF | IRLR014NTR | IRLR014NTRL | IRLR014NTRLPBF | IRLR014NTRPBF | IRLR014NTRR | IRLR014NTRRPBF | IRLR014PBF | IRLR014TR | IRLR014TRL | IRLR014TRPBF | IRLR014TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||||
Производитель | Производитель | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||||
Мощность | P | <28 Вт | <28 Вт | <28 Вт | <28 Вт | <28 Вт | <28 Вт | <28 Вт | <28 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <10 А | <10 А | <10 А | <10 А | <10 А | <10 А | <10 А | <10 А | <7.7 А | <7.7 А | <7.7 А | <7.7 А | <7.7 А |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V |
Серия MOSFET | Серия | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | HEXFET® |
Заряд затвора | QG | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||||||||